提出了在TiO2纳米管(TNT)阵列形成前引入Pt纳米粒子(NPs)作为掺杂剂的预掺杂方法。本方法旨在用Pt纳米粒子(Pt/TNT)装饰TNT阵列薄膜，**地避免了后掺杂法贵金属粒子堵塞纳米管顶部的问题。

将Pt、Ti薄膜连续磁控溅射到FTO基底上，将双Pt/Ti金属薄膜阳极氧化制备Pt/TNT阵列薄膜。

采用x射线衍射、x射线光电子能谱、场发射扫描电镜等手段表征了Pt/TNT纳米管阵列的微观结构，发现位于Ti薄膜底部的Pt NPs经过阳极氧化和退火后可以扩散到TNT纳米管阵列的上部。

Pt/TNT电极的光电性能优于TNT电极，其光电流值是纯TNT电极的两倍以上。

因此，该预掺杂方法对于制备高光催化效率的Pt/TNT电极是可行和**的。

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