掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片
掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为：0.05％，0.04％的Fe:SrTiO3单晶基片。
主要性能参数 | |
晶系 | 立方晶系 |
生长方法 | 火焰法 |
晶格常数 | a=3.905Å |
掺铁浓度(Fe%) | 0.005%,0.04% |
熔点（℃） | 2080 |
密度 | 5.122（g/cm3） |
硬度 | 6-6.5（mohs） |
热膨胀系数（/℃） | 9.4×10-6 |
介电常数 | ε=5.20 |
化学稳定性 | 在水中不溶解 |
热膨胀系数 | 10.4×10-6/k |
正切损耗 | ~5×10-4（300k） ~3×10-4（77k） |
尺寸 | 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 |
厚度 | 0.5mm、1.0mm |
尺寸公差 | <±0.1mm |
厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） |
抛光 | 单面或双面 |
晶面定向精度 | ±0.5° |
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） |
产品目录：
CVD TMDC晶体： >10平方毫米
AgTaS3晶体 >25平方毫米
Ag3Sb晶体 >50平方毫米
Ag2Te晶体 >25平方毫米
Bi4Pb7Se13晶体 >10平方毫米
Cu2Se3晶体 >25平方毫米
AgInP2S6晶体 >50平方毫米
AgInP2Se6晶体 >25平方毫米
Cr2S3晶体 >25平方毫米
CrTe2晶体 >10平方毫米
CuBi3PbS6晶体 >25平方毫米
CuInP2Se6晶体 >50平方毫米
CuInS2晶体 >25平方毫米
GaGeTe晶体 >25平方毫米
GaPS4晶体 >10平方毫米
GeBi2Te4晶体 >25平方毫米
GeBi4Te7晶体 >25平方毫米
GeSb4Te7晶体 >50平方毫米
GeTe晶体 >10平方毫米
HfS3晶体 >50平方毫米
HgPSe3晶体 （单层和多层 ）厚度可定制
In2GaBi2S6晶体 >25平方毫米
In2P3S9晶体 >10平方毫米
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小编：wyf 03.23
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