Si基底碳纳米管阵列，垂直于衬底生长的碳纳米管阵列

名称：Si基底碳纳米管阵列

纯度：95%+

用途：科研

状态：固体/粉末/溶液

厂家：西安齐岳生物

制备硅基底上的碳纳米管阵列通常可以通过化学气相沉积（CVD）等方法实现。以下是一种可能的制备步骤：

基底准备：选择硅基底，并确保其表面清洁。通常使用溶剂清洗、超声波处理等方法清洁基底表面，以确保获得干净的表面以促进后续的碳纳米管生长。

催化剂沉积：在硅基底表面沉积金属催化剂，通常采用的催化剂包括铁、镍等。可以使用物理气相沉积（PVD）或其他适当的方法在基底表面沉积催化剂，以实现碳纳米管的生长。

碳纳米管生长：将含有催化剂的硅基底放置于化学气相沉积反应室中，通过在适当的温度和压力条件下，将碳源气体（如甲烷、乙烯等）引入反应室。在金属催化剂的作用下，碳源气体分解并在基底表面生长成碳纳米管。

控制生长条件：通过调节反应条件，如温度、气体流量、压力等参数，控制碳纳米管的生长速率和生长方向，以实现在硅基底上有序排列的碳纳米管阵列。

表征和优化：对生长得到的碳纳米管阵列进行表征和优化，使用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段观察其形貌和结构，以及利用X射线衍射（XRD）等手段分析晶体结构和取向。

西安齐岳生物提供蓝宝石基底、石英玻璃基底、硅基底的超薄碳纳米管阵列和超长碳纳米管阵列定制服务

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温馨提醒：仅供科研，不能用于人体实验AXC.2024.03.01