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垂直排列碳纳米管柱基场发射阵列(VACNT-p-FEAs),生长原理
发布时间:2024-03-20     作者:axc   分享到:

垂直排列碳纳米管柱基场发射阵列(VACNT-p-FEAs),生长原理

垂直排列碳纳米管柱基场发射阵列(Vertical Aligned Carbon Nanotube Pillar-based Field Emission Arrays,VACNT-p-FEAs)是一种特殊结构的场发射器件,其中碳纳米管柱(Vertical Aligned Carbon Nanotube Pillars,VACNT-p)被用作发射极。这种结构具有许多独特的性质和潜在应用。

名称:垂直排列碳纳米管柱基场发射阵列(VACNT-p-FEAs)

纯度:95%+

用途:科研

状态:固体/粉末/溶液

厂家:西安齐岳生物

垂直排列碳纳米管柱基场发射阵列(VACNT-p-FEAs)

西安齐岳生物提供蓝宝石基底、石英玻璃基底、硅基底的超薄碳纳米管阵列和超长碳纳米管阵列定制服务

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