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氮化镓(GaN)单晶基片 <100>取向
发布时间:2022-04-28     作者:ysl   分享到:

GaN易与AIN、InN等构成混晶, 能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,**地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素)。

氮化镓(GaN)单晶

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小编:ysl2022.04.28


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