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钙钛矿/P3HT/石墨烯多异质结光电晶体管
发布时间:2020-10-23     作者:wyf   分享到:

 

钙钛矿/P3HT/石墨烯多异质结光电晶体管


有机金属卤化物钙钛矿材料因其出色的光电性能而近来备受关注。报道了基于CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿/聚(3-己基噻吩)/石墨烯的多异质结的超敏光电晶体管。由于光激发的电子和空穴被聚(3-己基噻吩)层**地隔开,因此高密度电子被捕获在钙钛矿层中,从而导致对下面的石墨烯通道的强光诱导浮栅效应。该光电晶体管显示出前所未有的超高响应率,约为4.3×10^9 A / W,每个光子的增益分别接近10^10个电子。更重要的是,该器件在从紫外线到近红外的宽带波长范围内都很敏感,这是其他钙钛矿光电探测器尚未实现的。预期新型钙钛矿光电晶体管将在未来作为光电检测和成像设备找到有前途的应用。

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a.带有P3HT空穴传输层的钙钛矿/石墨烯垂直异质结光电晶体管的示意图(左图)和混合光电晶体管的侧视图(右图)。入射光子在钙钛矿膜中产生电子-空穴对。然后,由于P3HT的选择性电荷转移,空穴被转移到石墨烯通道并向着源漂移,而电子仍被捕获在钙钛矿膜中

b. P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3xClx钙钛矿的**平面扫描电镜图像

c. P3HT/石墨烯上,CH3NH3PbI3xClx钙钛矿的XRD

d. 玻璃上CH3NH3PbI3xClx钙钛矿薄膜和CH3NH3PbI3xClx钙钛矿/P3HT/石墨烯薄膜的吸收光谱。

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a. CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿/ P3HT /石墨烯混合光电晶体管的沟道电流在不同照度下与背栅电压VG的关系。VDS = 0.1V。对于任何强度,在测量前将设备照明2分钟。波长:598nm

b. 狄拉克点VD的偏移与照在光电晶体管上的光的关系。插图显示了光电晶体管在光照下的能带和电荷转移图

cd.在不同照明水平下,设备的(c)光电流和(d)响应率(R)作为背栅电压VG的函数

 

钙钛矿层吸收的光子会产生激子,由于激子结合能低(35-75meV),因此激子迅速分解成钙钛矿中的电子和空穴。由于能量减少,空穴通过P3HT薄膜转移到石墨烯,而电子在钙钛矿层中积聚,因为钙钛矿材料的导带能级远低于P3HT的较低未占据分子轨道(LUMO)能级。因此,P3HT层在分离器件中的电子和空穴方面起着重要的作用,导致钙钛矿中积累的高密度电子。累积的电子可以导致**的负栅极电压(VG),并通过电容耦合在石墨烯通道中诱导正载流子,这可以看作是光诱导浮栅效应,并解释了照明下狄拉克点向正VG的位移。

产品供应列表:

P3HT3-己基噻吩的聚合物

共轭聚合物掺杂聚3-己基噻吩(P3HT)的碳微球复合膜

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P3HT有机光伏电池电子器件

(3-己基噻吩)-b-聚十六烷氧基联烯-b-聚(3-己基噻吩)(P3HT-b-PHA-b-P3HT)三嵌段聚合物

3-己基噻吩(P3HT)/C60衍生物PCBM的光敏混合聚合物光电导薄膜操控芯片

P3HT及P3HT/PCBM薄膜

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3-己基噻吩(P3HT)/GO复合材料(P3HT-g-GO)

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3-己基噻吩(P3HT)两亲性嵌段共聚物

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3-己基噻吩(P3HT)复合P3HT/C_(61)OTFT器件

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3-己基噻吩改性纳米二氧化钛光催化剂

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1,3,5-三氯苯(TCB)/氯仿混合P3HT混合溶液

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