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B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜
发布时间:2024-05-06     作者:zyl   分享到:

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B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜


B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜是一种由硅量子点组成的薄膜,其中硅量子点表面掺杂有硼元素。这种薄膜在光电子学、光伏器件和化学传感器等领域具有潜在的应用。


性质与应用

光学性质:B掺杂SiCx基硅量子点薄膜具有**的光学性质,例如可调谐的荧光发射和光电特性。

电子特性:硼掺杂可以调节硅量子点的能带结构,改变其导电性能,使其在光电子学器件中具有更好的性能。

化学传感:硼掺杂的硅量子点对某些化学物质具有特异性识别能力,可用于制备化学传感器,用于检测环境中的有机和无机分子。


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