CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜，CAS：1317-33-5
中文名称：CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜
英文名称：CVD Monolayer MoS2 Continuous Film on Sapphire Substrate
CAS：1317-33-5
基本描述
CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜是一种通过化学气相沉积技术在蓝宝石（Al2O3）基底上生长的单层MoS2二维材料。该材料具有高结晶度、大面积连续性和优良的光电子性能。单层MoS2为直接带隙半导体，厚度约0.7 nm，显示出强光吸收、高电子迁移率及良好的机械柔韧性，适用于光电器件、场效应晶体管和传感器应用。
物理化学性质及结构特性
单层MoS2呈六方晶格（2H相），厚度约0.7 nm，连续薄膜可覆盖整个蓝宝石基底。光学带隙约1.8 eV，表现出强烈光致发光和可调光学响应。载流子迁移率可达10–50 cm²·V⁻¹·s⁻¹，表面缺陷少且连续性好。薄膜与蓝宝石基底结合紧密，稳定性高，可承受后续器件制备工艺。
应用
CVD单层MoS2连续薄膜广泛应用于场效应晶体管、光电探测器、光电子器件、纳米传感器和柔性电子器件。连续薄膜结构保证大面积均匀性和器件可重复性，同时保持量子限制效应和高光电响应。薄膜可与其他二维材料叠层形成异质结，实现多功能器件设计。
合成路线
制备方法为化学气相沉积（CVD）：①将Mo源（如MoO3）和S源置于高温区；②在惰性气氛（如Ar或Ar/H2混合气）中，Mo与S蒸气在蓝宝石基底表面反应；③通过气流速率、温度梯度及反应时间控制单层MoS2连续薄膜生长；④冷却后得到高结晶度、连续且均匀的单层MoS2薄膜。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
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