产品名称：单层氮化硼薄膜（HBN）铜基，Monolayer Hexagonal Boron Nitride Film on Copper
中文名：单层氮化硼薄膜（HBN）铜基
英文名：Monolayer Hexagonal Boron Nitride Film on Copper
CAS号：7440-42-8
一、基本描述
单层氮化硼薄膜（HBN）铜基是一种二维氮化硼材料，单原子层厚度，生长在铜基底上形成高质量连续薄膜。材料呈半透明或白色薄膜状，具有高化学稳定性、热稳定性和绝缘特性。HBN薄膜具有平滑表面和均匀晶格结构，可用于电子器件绝缘层、柔性基底和二维材料异质结构。
二、物理化学性质、结构特性与应用
单层HBN属于六方晶系，晶格常数约a = 2.5 Å。材料具有高度平整的二维晶格结构，表面无 dangling bond，化学惰性强，可承受高温（>900°C）而不降解。HBN薄膜具备优良的电绝缘性、热导率（300–400 W/m·K）和机械强度。应用方面，可用作二维电子器件的绝缘层、晶体管基底、柔性电子材料、热界面材料(TIM)以及二维异质结构构建。HBN薄膜可与石墨烯、过渡金属硫化物等形成高性能异质结构，实现电子和光学性能增强。
三、合成路线
铜基HBN单层薄膜常采用化学气相沉积法(CVD)制备。典型方法为将氨气(NH₃)和硼源（如硼烷或硼烯前体）在铜箔表面通入高温反应（约1000°C），HBN单层在铜表面生长。反应完成后，可通过湿化学刻蚀去除铜基底，转移HBN至其他基底。通过调节反应温度、气体流量和生长时间，可实现高均匀性和连续性的单层HBN薄膜。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们：
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