AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜

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Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂（Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire N type ）

货号	规格	数量	价格
Q-0049530	100mg	1	询价
Q-0049530	250mg	1	询价
Q-0049530	500mg	1	询价
Q-0049530	1g	1	询价
Q-0049530	5g	1	询价

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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG

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产品介绍

产品名称 Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂（Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire N type ）常规尺寸 dia2",单抛标准包装 1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装技术参数 Al2O3晶向： c-axis (0001) +/- 1.0 o 导电类型： N 型不掺杂薄膜厚度： 5um，研究级，单抛电阻率： < 0.5 Ohm-cm 正面Ga面情况： As-grown 反面情况： as-received finish 可用区域： >90% ；Edge Exclusion Area 1mm

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	西安齐岳生物科技有限公司

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