GaN系列薄膜
GaN系列薄膜，常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型，注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0049575 | 100mg |
1
|
询价 |
| Q-0049575 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0049575 | 500mg |
1
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询价 |
| Q-0049575 | 1g |
1
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询价 |
| Q-0049575 | 5g |
1
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询价 |
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张惠宁销售经理
17778955912
1521565887
业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
如该产品产生售后问题，请联系我们：
1521565887@qq.com产品介绍
氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
技术参数：
常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型
注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
产品定位C轴<0001>±1°
传导类型N型；半绝缘型；P型
电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm
位错密度<1x108 Cm-2
表面处理(镓面)AS Grown
**值<1nm
可用表面积>90%
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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