CVD-SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜
CVD生长SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜，铜箔厚度：25 μm
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
|---|---|---|---|
| Q-0049824 | 100mg |
1
|
询价 |
| Q-0049824 | 250mg |
1
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询价 |
| Q-0049824 | 500mg |
1
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询价 |
| Q-0049824 | 1g |
1
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询价 |
| Q-0049824 | 5g |
1
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询价 |
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张惠宁销售经理
17778955912
1521565887
业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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产品转移到SiO2/Si衬底光学显微镜照片：
SEAD:
Raman:
HRTEM:
衬底信息
铜箔厚度：25 μm
薄膜覆盖率：~100% (少量叠层)
晶畴>4 μm
带隙：5.97 eV
薄膜透过率>97% 询价
尺寸：4英寸
衬底厚度：500±50 μm
氧化层厚度：300 nm
衬底电阻率：1-10 (?-cm)
衬底晶向：<1-0-0>
| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态： | 固体或粉末 |
| 质量指标： | 95%+ |
| 溶解条件： | 有机溶剂/水 |
| CAS号： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 储存条件： | -20℃避光保存 |
| 储存时间： | 1年 |
| 运输条件： | 室温2周 |
| 生产厂家： | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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