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InP晶体基片

磷化铟(InP)晶体基片 提供Sn；S；Fe：Zn掺杂

货号 规格 数量 价格
Q-0058097 100mg
1
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Q-0058097 250mg
1
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Q-0058097 500mg
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产品介绍

单晶

InP

掺杂

None；Sn；S；Fe：Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度

4.78 g/cm3

导电类型

N；N；N；Si；P

折射率

3.45

载流子浓度cm-3

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位错密度cm-2

<5x104

生长方法

LEC

温度

1072℃

弹性模量

7.1E11dyn  Cm-2

标准尺寸： 表面粗糙度Ra：<15A

 

晶向：

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

参数信息
外观状态： 固体或粉末
质量指标： 95%+
溶解条件： 有机溶剂/水
CAS号： N/A
分子量： N/A
储存条件： -20℃避光保存
储存时间： 1年
运输条件： 室温2周
生产厂家： 西安齐岳生物科技有限公司
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