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砷化铟(InAs)晶体基片

砷化铟(InAs)晶体基片;常规尺寸:10x10x0.5mm

货号 规格 数量 价格
Q-0058131 100mg
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产品介绍

晶体结构:

立方  a =5.4505 Å

生长方法:

CZ

导电类型:

N型

掺杂类型:

不掺杂

载流子浓度:

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率:

>18500cm2/V.S 

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 西安齐岳生物科技有限公司
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