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氮化镓(GaN)晶体基片

氮化镓(GaN)晶体基片，氮化镓晶体(GaN)，常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um，可按照客户要求加工尺寸及方向。

货号 规格 数量 价格
Q-0058313 100mg
1
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Q-0058313 250mg
1
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Q-0058313 500mg
1
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Q-0058313 1g
1
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Q-0058313 5g
1
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张惠宁销售经理
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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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产品介绍

制作方法：

HVPE（氢化物气象外延法）

传导类型：

N型；半绝缘型

电阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位错密度：

<5x106Ω.cm

可用表面积：

>90%

TTV：

≤15um

Bow：

≤20um

晶向：

<0001>

常规尺寸：

dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um

注：可按照客户要求加工尺寸及方向。
参数信息
外观状态： 固体或粉末
质量指标： 95%+
溶解条件： 有机溶剂/水
CAS号： N/A
分子量： N/A
储存条件： -20℃避光保存
储存时间： 1年
运输条件： 室温2周
生产厂家： 西安齐岳生物科技有限公司
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