碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体基片

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碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体基片

SiC(4H,6H)晶体，碳化硅晶体SiC(4H,6H)晶体

货号	规格	数量	价格
Q-0058318	100mg	1	询价
Q-0058318	250mg	1	询价
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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG

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产品介绍

晶胞结构	六方
晶格常数	a =3.08 Å c = 15.08 Å
排列次序	ABCACB (6H)
生长方法	MOCVD
方向	生长轴或偏(0001) 3.5°
抛光	Si面抛光
带隙	2.93 eV (间接)
导电类型	N
电阻率	0.076 ohm-cm
介电常数	e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
热导率@300K	5 W / cm . K
硬度	9.2 Mohs

常规晶向： <0001>；

掺杂类型： 6H N型表示专门掺N的，掺杂浓度10E18-10E19；

4H N型或者半绝缘；
常规尺寸：dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm； dia3"x0.35mm、10x10mm、10x5mm;

抛光情况：单抛或双抛，Ra<10A；

我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)

参数信息
外观状态：	固体或粉末
质量指标：	95%+
溶解条件：	有机溶剂/水
CAS号：	N/A
分子量：	N/A
储存条件：	-20℃避光保存
储存时间：	1年
运输条件：	室温2周
生产厂家：	西安齐岳生物科技有限公司

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