碳化硅(SiC)单晶基片,10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20,Dia2",Di3",Dia4"
碳化硅(SiC)单晶基片,10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20,Dia2",Di3",Dia4",0.35mm,单面或双面,<0001>±0.5º
货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
---|---|---|---|
Q-0058816 | 100mg |
1
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询价 |
Q-0058816 | 250mg |
1
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询价 |
Q-0058816 | 500mg |
1
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询价 |
Q-0058816 | 1g |
1
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询价 |
Q-0058816 | 5g |
1
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询价 |
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张惠宁销售经理
业务范围:AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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产品介绍
碳化硅(SiC)单晶基片主要性能参数
生长方法
|
籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)
|
晶体结构
|
六方
|
晶格常数
|
a=3.08 Å c=15.08 Å
|
密度
|
3.21 g/cm3
|
方向
|
生长轴或 偏<0001> 3.5 º
|
带隙
|
3.26 eV (间接)
|
硬度
|
9.2(mohs)
|
热传导@300K
|
5 W/ cm.k
|
介电常数
|
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
|
尺寸
|
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Dia2",Di3",Dia4"
|
厚度
|
0.35mm,
|
抛光
|
单面或双面
|
晶向
|
<0001>±0.5º
|
晶面定向精度:
|
±0.5°
|
边缘定向精度:
|
2°(特殊要求可达1°以内)
|
斜切晶片
|
可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片
|
Ra:
|
≤5Å(5µm×5µm)
|
包装
|
100级洁净袋,1000级超净室
|
参数信息 | |
---|---|
外观状态: | 固体或粉末 |
质量指标: | 95%+ |
溶解条件: | 有机溶剂/水 |
CAS号: | N/A |
分子量: | N/A |
储存条件: | -20℃避光保存 |
储存时间: | 1年 |
运输条件: | 室温2周 |
生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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