细胞穿膜肽修饰硅纳米线(TAT-Si NW)在小鼠海马体细胞中的实验研究
发布时间：2021-01-29 作者：axc 分享到：
纳米材料在生物电子学中有广泛的应用。在传感领域，纳米器件的表面修饰已得到很好的应用，在本文中，作者介绍了一种通过将细胞穿膜肽——一种从人类免疫缺陷病毒1中分离出的反式激活转录激活剂（TAT）与硅纳米线（Si NW）表面相连接，从而促使NW自发进入原代神经元细胞的生物学方法。
实验过程及结果:
**，通过纳米金原子簇催化的气液固法合成了Si NW，随后用(3-氨基丙基)-三乙氧基硅烷处理，得到一级胺封端的单层膜，再用1-乙基-3-(3(二甲氨基)丙基)碳二亚胺将荧光标记物STV与一级胺单层膜连接，最后在TAT溶液中处理，得到TAT表面修饰的TAT-NW。
将小鼠海马体细胞培养2周后，将5 μg TAT-NW放置于样品中，在37 ℃下培养20小时，并用TAT修饰的STV-NW以相同的方式做对照实验。作者利用共聚焦显微镜成像技术对样品进行了观察，发现被TAT修饰的NW可以进入神经细胞，而未被修饰的STV-NW则没有进入细胞。
为了运用活细胞动态成像技术进行观察，我们设计了如图2-a所示的培养皿，将物镜从洞中插入，实现了对样品的实时观察。在100倍放大下，每隔10分钟进行一次共聚焦显微镜成像，得到了如图2-b的结果。图像表明，NW进入细胞的过程在NW与细胞膜接触后的10到20分钟以内开始，在30至40分钟以内完成。
为了检测这一方法的普适性，我们利用原代背根神经节（DRG）细胞进行了相同的实验，得到了与在海马体细胞中相似的实验结果：被TAT表面修饰的NW可以自发进入细胞内，且NW进入细胞内的过程在NW与细胞膜接触后的10分钟以内开始，在30分钟以内完成。
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