通过块材晶体机械剥离或物理气相沉积合成的微米级薄片已经显示出大量应用，从室温下的低阈值激射到具有大响应率和更快响应的高性能光电探测器。然而，具有良好控制取向的PbI2外延薄膜的大面积厘米级生长一直具有挑战性。此外，PbI2外延薄膜中晶界的性质仍然难以捉摸。

有鉴于此，近日，我们使用云母作为模型衬底，揭示了大面积外延PbI2薄膜的生长机制。导致未聚结晶畴的部分生长揭示了云母上外延PbI2薄膜中反转晶畴的存在。通过将实验结果，还可以了解控制生长机制的热力学和动力学因素，这为在其他衬底上合成大面积PbI2和在单晶石墨烯上合成PbI2异质结铺平了道路。

图文导读 

图1. 在云母上以3 ℃/min升温速率生长的PbI2薄膜的表征和晶体结构。

图2. 云母上PbI2薄膜的表征。

图3. 未聚结的PbI2三角形和薄膜的EBSD测量。

图4. 以37 ℃/min升温速率生长的PbI2薄膜的晶体结构表征。

图5. PbI2环和衬底之间的相互作用

图6. 生长速率对薄膜光学性能的影响。

图7. 对于以37 ℃/min升温速率生长的样品，石墨烯晶体上PbI2薄膜的结构表征。

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ZnO+Pt+Ti薄膜

SiO2/Pt薄膜

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ZnO+SiO2薄膜

ITO+ZnO薄膜

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InP上镀InAlAs薄膜

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康宁7980上镀ITO膜

YIG单晶外延薄膜GGG衬底

Al2O3+YBCO薄膜

Si上镀Ge薄膜

LaAlO3+SrTiO3薄膜

Si+SiO2薄膜

GaN系列薄膜

SiC 3C薄膜

GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型

SOI基片(Si+SiO2+Si)

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Al2O3+Si薄膜(SOS)

Diamond金刚石膜

Si+SiO2+Si3N4薄膜

Si+Si3N4薄膜

YSZ+CeO2薄膜

Si+SiO2+Ti+Pt薄膜

Si+Cu薄膜

Si镀Ni薄膜

Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜

CVD MoS2薄膜

Ba1-xSrxTiO3膜

玻璃上镀Mo膜

Si+BN薄膜

La2Zr2O7薄膜

AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜

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