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CVD硅基底石墨烯膜2.5cmx2.5cm,CAS:7440-44-0, CVD Graphene Film on Silicon Substrate的制备工艺
发布时间:2026-01-12     作者:YFF   分享到:

中文名称:CVD硅基底石墨烯膜
英文名称:CVD Graphene Film on Silicon Substrate

材料特性
CVD硅基底石墨烯膜通过化学气相沉积(CVD)技术制备,以单晶硅为基底,表面覆盖单层或多层石墨烯薄膜。其典型尺寸为2.5cm×2.5cm,层数可定制(单层、双层、3-5层或6-8层),纯度达99%以上。石墨烯薄膜具有高透光率(>97%)、高载流子迁移率及优异的机械柔韧性,与硅基底结合后兼具导电性与半导体特性,适用于需要高精度电子传输的场景。

制备工艺
制备过程分为两步:首先在高温下将含碳气体(如甲烷)分解,使碳原子在硅基底表面沉积形成石墨烯晶格;随后通过控制生长参数(如温度、气压、气体流量)调节层数与均匀性。转移工艺需避免薄膜破损,常用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)辅助剥离,再通过湿法刻蚀去除临时载体。

应用领域
该材料主要用于科研实验与原型器件开发。在光电领域,可作为透明导电电极应用于柔性显示器、太阳能电池;在电子领域,可用于构建场效应晶体管、传感器阵列;在材料科学中,为研究石墨烯与硅的异质结特性提供理想平台。例如,南京理工大学曾利用类似材料开发柔性血压传感器,实现血管壁微小形变的实时监测。

CVD硅基底石墨烯膜2.5cmx2.5cm

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