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CVD氧化硅基底石墨烯,4英寸,CVD Graphene on SiO₂的制备工艺
发布时间:2026-01-12     作者:YFF   分享到:

中文名称:CVD氧化硅基底石墨烯,CVD氧化硅基底石墨烯,4英寸

英文名称:CVD Graphene on SiO₂

基础特性

CVD氧化硅基底石墨烯是通过化学气相沉积(CVD)技术在氧化硅(SiO₂)基底上生长的单层或多层石墨烯薄膜。其原子结构由单层碳原子以sp²杂化轨道组成六边形蜂窝状晶格,具有极高的理论比表面积和优异的电学性能。根据层数不同,可分为单层、双层、3-5层及6-8层等类型,其中单层石墨烯的电子迁移率可达200,000 cm²/(V·s),透光率超过97%,是透明导电薄膜的理想材料。氧化硅基底提供绝缘支撑,同时通过表面修饰可调控石墨烯的载流子浓度,适用于需要高载流子迁移率的微电子器件。

制备工艺

制备过程分为两步:首先在铜或镍等金属基底上通过CVD法生长大面积石墨烯,随后通过湿法转移或干法转移技术将石墨烯薄膜转移至氧化硅基底。转移过程中需控制刻蚀液浓度、温度及转移时间,以减少薄膜破损和污染。例如,4英寸晶圆级石墨烯的完整度可达95%以上,洁净度超过90%,满足半导体器件制造的洁净室标准。部分厂商通过优化转移工艺,实现了石墨烯与氧化硅基底的强界面结合,降低了接触电阻。

应用领域

在光电子学领域,氧化硅基底石墨烯可用于制造高速光电探测器,其响应时间可缩短至皮秒级;在传感器领域,其高灵敏度使其能够检测单分子级别的气体或生物分子;在能源领域,作为透明电极材料,可提升太阳能电池的光电转换效率。此外,该材料还可用于柔性电子器件、高频逻辑电路及芯片互连等场景。例如,南京理工大学研发的柔性传感器利用石墨烯的机械柔韧性和生物相容性,实现了血管壁厚度的实时监测。

市场现状

国内供应商如克拉玛尔、珈得尔等提供定制化服务,支持1cm×1cm至7cm×7cm等多种尺寸,价格因层数和面积差异显著。例如,7cm×7cm单层石墨烯的价格约为4500元/盒,而2cm×2cm双层石墨烯的价格为3850元/盒。部分厂商还提供4英寸晶圆级产品,满足半导体行业需求。随着CVD技术的成熟,氧化硅基底石墨烯的制备成本逐步降低,推动了其在科研和工业领域的广泛应用。

CVD氧化硅基底石墨烯,4英寸

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