中文名称:CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜
英文名称:Monolayer Molybdenum Disulfide Continuous Film on Sapphire Substrate
材料特性
该薄膜以单晶蓝宝石(Al₂O₃)为基底,表面覆盖单层二硫化钼(MoS₂),纯度达99.9%。蓝宝石基底具有高化学稳定性、低表面粗糙度及优异的光学透过性,与MoS₂的直接带隙半导体特性(带隙约1.8eV)结合,形成理想的二维材料研究平台。薄膜厚度约0.65nm,表面均匀性高,缺陷密度低。
制备工艺
采用CVD技术,在高温下将硫粉与钼源(如三氧化钼)蒸镀至蓝宝石基底表面,通过精确控制反应温度(约700-800℃)、气体比例(H₂S/Ar)及沉积时间,实现单层MoS₂的原子级生长。部分工艺引入等离子体辅助以增强反应活性,缩短生长周期。制备后需在-20℃避光保存,防止氧化降解。
应用领域
主要用于基础科学研究与原型器件开发。在光电领域,可作为光探测器、发光二极管的核心材料,利用其强光吸收与高量子效率特性;在电子领域,可用于构建低功耗晶体管、逻辑电路;在催化领域,作为模型催化剂研究二维材料的表面反应机制。例如,科研人员曾利用该材料开发高灵敏度光传感器,检测波长范围覆盖可见光至近红外。

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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
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