中文名称：CVD氧化铝基单层二硫化钨
英文名称：CVD Aluminum Oxide-based Monolayer Tungsten Disulfide

基础特性

CVD氧化铝基单层二硫化钨（WS₂）是通过化学气相沉积技术在氧化铝（Al₂O₃）基底上生长的单层过渡金属硫化物。其原子结构由一层钨原子夹在两层硫原子之间，形成二维层状结构，带隙宽度约为1.8 eV，兼具半导体性质和优异的光学特性。单层WS₂的厚度仅为0.7 nm，比表面积大，电子迁移率可达200 cm²/(V·s)，在可见光范围内具有强光吸收和发射能力，适用于光电子器件和传感器领域。

制备工艺

制备过程需精确控制反应条件：以钨源（如WF₆）和硫源（如H₂S）为前驱体，在高温（600-800℃）下通过CVD法在氧化铝基底上生长单层WS₂。氧化铝基底需经过抛光和清洁处理，以减少表面缺陷对薄膜质量的影响。部分厂商通过引入中间层（如石墨烯）改善WS₂与基底的界面结合，提升薄膜的均匀性和稳定性。例如，西安晖瑞生物科技有限公司提供的单层WS₂薄膜，其完整度超过90%，适用于高精度器件制造。

应用领域

在电子器件领域，WS₂的半导体性质使其可用于制造场效应晶体管（FETs），其开关比可达10⁸，适用于低功耗逻辑电路；在光电子学领域，其强光吸收特性使其成为光电池和光探测器的理想材料，响应波长范围覆盖可见光至近红外；在传感器领域，WS₂对NO₂、NH₃等气体分子具有高灵敏度，检测限可低至ppb级；在能源领域，其层状结构为锂离子嵌入提供了通道，可用于高容量锂离子电池负极材料。

市场现状

国内供应商如西安晖瑞生物科技有限公司提供定制化服务，支持多种基底尺寸和层数选择。CAS号为7440-33-7的产品已应用于科研和工业领域，价格因规格和纯度差异较大。随着二维材料研究的深入，WS₂的制备技术不断优化，成本逐步降低，推动了其在柔性电子、光通信及环境监测等领域的商业化进程。例如，基于WS₂的光电探测器已实现室温下皮秒级响应，为高速光通信提供了新方案。

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公司简介：

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