近红外二区（PbS）量子点光电探测广泛应用于成像、通信和生物传感等领域。市场上的光电探测器主要是基于硅材料和其他III–V族半导体材料，但是这些材料面临着成本高，不易柔性化等问题。PbS量子点具有带隙可调范围宽（0.6~1.6 eV）、摩尔吸光系数高（106 M-1 cm-1），制备工艺简单以及稳定性好等优点，因此被认为是新一代柔性光电探测器的优秀候选材料。现有的单层PbS量子点光电探测器面临着漏电流大、开关比低、响应速度慢等问题。也有报道将金属纳米粒子、有机材料和石墨烯等材料与PbS量子点结合，形成杂化型光电探测器件，此类方法**地增强了器件的响应度，但也带来了非常高的暗电流等问题，使得器件的性能无法全面提升。因此，如何克服单层PbS量子点和杂化PbS量子点光电探测器面临的问题是一个亟待解决的问题。

PbS量子点的TEM表征图、吸收谱、UPS、以及能级分布

红外二区（PbS）量子点图谱

(a) 油酸修饰过的PbS量子点的TEM图；

(b) 原始油酸修饰的PbS量子点、PbS-TBAI量子点和PbS-EDT量子点的吸收谱；

(c) PbS-TBAI量子点薄膜的紫外光电子能谱（UPS），插图为二次电子截止区放大图；

(d) PbS-EDT量子点薄膜的紫外光电子能谱（UPS），插图为二次电子截止区放大图；

(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能级分布图，虚线为费米能级，上边实线为导带底下边实线为价带顶。

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