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光电材料|CsPbBr3量子点嵌入聚甲基丙烯酸甲酯作为电荷捕获层的非易失性光电存储器

发布时间：2022-01-11 作者：光电材料分享到：

非挥发性有机场效应晶体管(OFET)光电材料存储器由于其特殊的光电存储机制和应用领域。

图像捕获和光信息存储等，引起了人们的广泛关注。

遗憾的是，传统的浮闸和隧道层两步制备方法复杂，不利于大面积制备。

一种钙钛矿量子点(QDs)嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为电荷捕获层的非易失性OFET光电材料存储器。

在光或光电编程操作和电擦除操作期间，光电存储器能**地积累和释放光产生的载流子。

采用浮动栅和隧道层两步法制备的光电存储器的存储特性可与传统存储器相媲美。

此外，该记忆装置在暴露于空气中两周后仍具有良好的保留时间和耐久性能。

因此，采用量子点/PMMA复合光电材料作为电荷捕获层的存储器在光电器件中显示出巨大的应用潜力。

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