二硫化钼（MoS2）构建柔性透明电子器件

原子薄二硫化钼（MoS2）具有优良的机械、光学和电学性能，是一种很有前途的集成柔性电子器件半导体材料。然而，大规模高密度、高性能的MoS2基柔性集成电路的制备仍然是一个挑战。在这里，我们报告了用四英寸晶圆规模的MoS2单分子膜在柔性衬底上制造基于MoS2的透明晶体管和逻辑电路。

方法

使用改进的化学气相沉积工艺来生长具有大晶粒尺寸的晶圆级单分子膜和金/钛/金电极，以产生低至2.9 kΩ μm−1的接触电阻。场效应晶体管具有高器件密度（每平方厘米1518个晶体管）和成品率（97%），具有高的开关比（1010）、电流密度（~35 μa μm−1）、流动性（~55 cm2 V−1 s−1）和灵活性。我们还使用这种方法来创建各种灵活的集成逻辑电路：反相器、NOR门、与非门、与非门、静态随机存取存储器和五级环形振荡器。

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